Rivelazione biomeccanica di massa avanzata
Con l'ausilio di nuove tecniche e processi di nanotecnologia, il progetto NANOMASS II ha sfruttato la tecnologia dei circuiti CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) per la generazione di sensori di massa meccanici. I nuovi sensori sono basati su una matrice di cantilever in silicio a scala nanometrica e possono essere adoperati in applicazioni biochimiche e ambientali. Per la fabbricazione di nanocantilever sono state impiegate tecniche innovative di nanolitografia e i nuovi substrati SOI (Silicon-On-Insulator). A scopo di ottimizzazione, è stata utilizzata la nanolitografia con microscopio a forza atomica (ARM) o a laser. Per la valutazione della riduzione delle dimensioni e l'aumento del throughput, però, è stata adottata la litografia a fascio di elettroni e la litografia NIL (Nano-Imprint Lithography). Lo scopo dell'introduzione dei substrati in SOI nella fabbricazione dei semiconduttori, in sostituzione di substrati in silicio puro, era il miglioramento delle prestazioni e la contrazione della forma del cantilever. Sono stati realizzati campioni dimostrativi di nanocantilever ultrasottili in alluminio (Al), caratterizzati per applicazioni di rilevamento di massa. La fabbricazione ha implicato una fase di litografia ultravioletta negativa, mentre la caratterizzazione è stata completata con l'ausilio di un microscopio elettronico a scansione. Il processo di fabbricazione è CMOS-compatibile e non è costoso, consentendo di controllare pienamente lo spessore dei cantilever a scala nanometrica. Rispetto ai cantilever in silicio monocristallino, i nanocantilever in Al presentano un'elevata sensibilità alla massa e possono essere applicati efficacemente nel campo del rilevamento di massa. Per ulteriori informazioni sul progetto, fare clic sull'indirizzo: http://einstein.uab.es/_c_nanomass/
