Optymalizacja nanoczujników masowych
Innowacyjny detektor masowy z nadzwyczajnymi możliwościami pomiarowymi może zostać wyprodukowany poprzez utworzenie matrycy wsporników krzemowych o skali nano, a następnie połączenie ich z układem CMOS (struktura komplementarna metal-tlenek-półprzewodnik). Do umieszczenia struktury nanomechanicznej na już gotowym układzie CMOS używana jest nanolitografia. Ta technika produkcji została szczegółowo dopracowana przez partnerów projektu NANOMASS II. Korzystając z techniki nanolitografii jako podstawy, obecnie używana jest mikroskopia sił atomowych do zdefiniowania struktury w skali nano na układzie CMOS. Nanolitografia z mikroskopią sił atomowych nie tylko pozwala zredukować wymiary nanowsporników, ale także przyczynia się do procesu czyszczenia powierzchni, na której następnie zostaną zdefiniowane nanostruktury. Wymagana jest niska szorstkość powierzchni oraz brak cząsteczek zanieczyszczeń. Może to osiągnąć dzięki użyciu cienkiej warstwy aluminium, która jest lokalnie oksydowana przez końcówkę mikroskopu sił atomowych. Do produkcji układów CMOS używany jest płytka z substratu SOI (krzem na izolatorze). Zapewnia to możliwość dalszej redukcji wymiarów nanowsporników, ponieważ do ich produkcji może zostać użyty krystaliczny krzem zamiast polikrzemu. Stosowana jest struktura, w której układ CMOS znajduje się na spodzie (po stronie krzemowej płytki), podczas gdy struktura nanomechaniczna znajduje się na górnej warstwie substratu SOI. Stworzone techniki produkcyjne umożliwiają budowę kompaktowego i czułego detektora masowego, który może być stosowany nie tylko w naukach środowiskowych i biochemicznych, ale także używany ogólnie do definiowania nanostruktur na wstępnie przygotowanych substratach CMOS. W czasie projektu zastosowano innowacyjne podejście technologiczne, którego wynikiem stało się wyprodukowanie urządzeń demonstracyjnych. Obecnie zostaną one poddane szerokim testom funkcjonalnym. Oznacza to, że niedługo można spodziewać się zastosowań przemysłowych.
