Technologie avancée de dispositifs quantiques
Le projet QUDOS s'est penché sur le développement d'une technologie de dispositifs à résistance différentielle négative (NDR) robustes et adaptables sur un substrat de silicone. La technologie innovatrice a été élaborée largement en termes de fabrication, de compatibilité avec les circuits de silicone et de performance des candidats émergents tels que les dispositifs à effet tunnel résonnant. Les dispositifs à effet tunnel résonnant représentent l'un des dispositifs clés à effet quantique présentant plusieurs avantages. Ils fonctionnent habituellement à température ambiante et offrent, grâce à des processus d'intégration, une large variété d'options de conception. Ces dispositifs sont des diodes à effet tunnel résonnant (RTD pour resonant tunnelling diode) pouvant être conçus sur la base de modèles à seuil logique computationnel. Les RTD sont faites de portes à seuil remplaçant les portes booléennes utilisées traditionnellement comme les AND, OR ou autres similaires. Leur réalisation semble efficace et elle peut également remplir des fonctions plus complexes. Les travaux du projet se sont concentrés sur le développement d'un nouveau modèle computationnel - les portes à seuil multi-seuil (MTTG), pouvant également améliorer les fonctionnalités des portes à seuil conventionnelles. La topologie développée de circuit MTTG est parfaitement adaptée pour l'implémentation sur des structures RTD mobiles. Il a été démontré que des mises à l'échelle des RTD pouvaient être réalisées dans des neurones double entrée. Par ailleurs, la topologie de circuit a été également étendue pour implémenter les neurones programmables et cette méthodologie a été exploitée pour concevoir des neurones complexes avec des RTD plus systématiques. L'approche de circuit MTTG s'est avérée utile car elle a permis l'implémentation de nano-segmentation au niveau de la porte. Pour plus d'informations sur le projet, consulter: http://www.hlt.uni-duisburg.de/research/projekt_dokumente/qudos/qudos1.html
