Dispositivos de optoelectrónica con nitruro de galio
El nitruro de galio (GaN) y sus aleaciones relacionadas han abierto la puerta a la iluminación eficiente de estado sólido con los diodos emisores de luz blanca (LED) en lugar de los típicos tubos fluorescentes. Los aparatos electrónicos de alta frecuencia fabricados con GaN para aplicaciones inalámbricas ya se han introducido en el mercado libre. En la actualidad, están comenzando a revolucionar el campo del almacenamiento de datos de alta capacidad con los diodos de láser azul. Sin embargo, el crecimiento heteroepitaxial sobre sustratos extraños, como el zafiro o el carburo de silicio (SiC), genera una densidad de defecto alta y limita la eficacia luminosa de los dispositivos de GaN. En vista del reconocido potencial de los dispositivos de GaN, el proyecto DENIS, financiado a través del Quinto Programa Marco, trató de desarrollar una técnica adecuada para la producción a gran escala de finas láminas de GaN. El uso de sustratos con coeficientes de expansión térmica ajustados y constantes reticulares brindaría la solución óptima para mejorar el rendimiento y la durabilidad de los aparatos de GaN. El proyecto DENIS ha llegado a su fin y ha producido una serie de contribuciones positivas al establecimiento de la tecnología GaN en Europa. En la universidad sueca de Linkoeping se ha desarrollado una técnica y un reactor apropiado para el crecimiento de los compuestos sintéticos de GaN con los que se pueden producir las finas láminas. Concretamente, se utilizó con éxito la técnica de la deposición de fase de vapor de hidruro para aumentar hasta dos pulgadas el diámetro de sustratos de GaN de 2mm de grosor. El crecimiento de grandes cantidades de GaN se produjo en un reactor vertical de paredes calientes a presión atmosférica. Cuando se combinó con el despegue por láser para separar el sustrato, se demostró la mejora prevista en el rendimiento de los dispositivos emisores de luz frente al uso de sustratos de zafiro. Sin embargo, quedan por resolver cuestiones fundamentales y la necesidad de aclarar el efecto que tiene el uso de estos sustratos en las propiedades de los dispositivos.
