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Magnetic non-volatile Random Access Memory for SPACE with Serial interface

Descripción del proyecto

Aplicaciones espaciales para abordar las memorias de programa no volátiles de alta densidad

Las memorias de programa son componentes esenciales de las aplicaciones espaciales. Almacenan de forma permanente un programa que se ejecuta en un microcontrolador o los datos de configuración de la matriz de puertas programables «in situ» (FPGA, por sus siglas en inglés). Reúnen los requisitos más estrictos en cuanto a fiabilidad, tolerancia a los fallos y resistencia a la radiación. El objetivo del proyecto MNEMOSYNE, financiado con fondos europeos, es demostrar una nueva generación de memorias de programa no volátiles de alta densidad, resistentes a la radiación, con una interfaz en serie. La tecnología se basará en la memoria RAM magnética incorporada más avanzada disponible en el mercado, con un proceso FD-SOI de 22 nm. Si esto da frutos, el proyecto desvelará la primera memoria de programa no volátil resistente a la radiación con una densidad superior a 64 Mb para aplicaciones espaciales.

Objetivo

Memories are critical components for space applications. They can be separated into three types: mass, cache and program memories. The latter permanently stores a program which can be executed as a MCU boot memory or FPGA configuration non-volatile memory (NVM). In space applications, the program memory is the one which requires the highest reliability, zero error tolerance, and the highest radiation hardness as it is directly related to the system power up. On the other side, as the requirements of system performance increased, integrated circuits (IC) are more and more dense. The recent space program memory requires higher speed and density. For example, the European rad-hard FPGA BRAVE NG-Medium requires at least a 13Mb configuration. The next generations NG-large, and NG-Ultra will require 128Mb and up to 512Mb high speed, low pin-count configuration memories. Currently, for this critical memory, there is no European radiation hardened memory component available.

MNEMOSYNE project aims to develop (design and prototype) the new generation of radiation hardened high density NVM with serial interface based on most-advance and matured European commercially available 22 nm FDSOI Magnetic RAM (MRAM) technology.

Thanks to FDSOI semiconductor structure, this process naturally provides good radiation tolerance. In addition, MRAM technology is naturally SEU immune. Key innovations are:
The first European RHBD (radiation hardened by design) space NVM with density higher than 1Mb;
The first World Wide RHBD space NVM with density higher than 16Mb;
The first European embedded RHBD high performance space NVM IP core on process lower than 65nm;
The first new generation Spin-Transfer Torque (STT) MRAM for space application;
The first RHBD applied on 22nm FDSOI on both digital and analog IPs for TID & SEE mitigations;

The development of a high density MRAM will reshape the whole memory chips market for space industry and beyond.

Ámbito científico (EuroSciVoc)

CORDIS clasifica los proyectos con EuroSciVoc, una taxonomía plurilingüe de ámbitos científicos, mediante un proceso semiautomático basado en técnicas de procesamiento del lenguaje natural.

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Convocatoria de propuestas

H2020-SPACE-2018-2020

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Convocatoria de subcontratación

H2020-SPACE-2019

Régimen de financiación

RIA - Research and Innovation action

Coordinador

3D PLUS SA
Aportación neta de la UEn
€ 1 067 694,11
Dirección
RUE HELENE BOUCHER ZI 408
78530 Buc
Francia

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Región
Ile-de-France Ile-de-France Yvelines
Tipo de actividad
Private for-profit entities (excluding Higher or Secondary Education Establishments)
Enlaces
Coste total
€ 1 067 700,11

Participantes (5)