3C-SiC Hetero-epitaxiALLy grown on silicon compliancE substrates and 3C-SiC substrates for sustaiNable wide-band-Gap powEr devices

Informations projet

CHALLENGE

N° de convention de subvention: 720827

DOI 10.3030/720827

Projet clôturé

Date de signature de la CE 9 Novembre 2016

Date de début 1 Janvier 2017

Date de fin 30 Juin 2021

Financé au titre de

• INDUSTRIAL LEADERSHIP - Leadership in enabling and industrial technologies - Advanced materials

Coût total € 8 048 322,50

Contribution de l’UE € 7 997 822,50

Coordonné par

CONSIGLIO NAZIONALE DELLE RICERCHE
Italy