Ziel
The MORGaN project addresses the need for a new materials for electronic devices and sensors that operate in extreme conditions, especially high temperature, high electric field and highly corrosive environment. It will take advantage of the excellent physical properties of diamond and gallium nitride heterostructures. The association of the two materials will give rise to the best materials and devices for ultimate performance in extreme environments. Both materials possess durability and robustness to high temperature, radiation and electric field. Diamond material exhibits the best mechanical robustness and thermal conductivity, while GaN presents also high electron mobility, giving high power handling and efficiency. III-N systems have other desirable properties for sensor applications in extreme environments. It is the only highly polar semiconductor matrix that has ceramic-like stability and can form heterostructures. It has the highest spontaneous polarisation with a Curie temperature above 1000°C for AlN: a lattice matched III-N heterostructure with a built-in polarisation discontinuity is expected to enable transistor action above 1000°C. The packaging and metallisation of an electronic device or sensor are important elements in extreme conditions. Metal contacts must be stable and the package must be thermally compatible with the device requirements and chemically stable. MORGaN proposes a novel technological solution to electron device and sensor modules. Advanced 3D ceramic packaging and new metallisation techniques based on the emerging technology of MN+1AXN alloys will also be explored. As such, the vision of MORGaN for materials for extreme conditions is holistic, involving 2 large industrial partners, 2 industrial labs, 6 SMEs and 13 public research partners. The project includes research, demonstration, management, training and dissemination activities.
Wissenschaftliches Gebiet
Schlüsselbegriffe
Programm/Programme
Aufforderung zur Vorschlagseinreichung
FP7-NMP-2007-LARGE-1
Andere Projekte für diesen Aufruf anzeigen
Finanzierungsplan
CP-IP - Large-scale integrating projectKoordinator
91767 Palaiseau Cedex
Frankreich
Auf der Karte ansehen
Beteiligte (23)
52134 Herzogenrath
Auf der Karte ansehen
160 00 Praha
Auf der Karte ansehen
SL5 8BP Ascot
Auf der Karte ansehen
1015 Lausanne
Auf der Karte ansehen
412 50 GOTEBORG
Auf der Karte ansehen
70013 Irakleio
Auf der Karte ansehen
NP4 0HZ Pontypool
Auf der Karte ansehen
G12 8QQ Glasgow
Auf der Karte ansehen
58216 LINKOPING
Auf der Karte ansehen
841 04 Bratislava
Auf der Karte ansehen
75794 Paris
Auf der Karte ansehen
02668 WARSZAWA
Auf der Karte ansehen
431 53 Molndal
Auf der Karte ansehen
38041 GRENOBLE
Auf der Karte ansehen
1117 Budapest
Auf der Karte ansehen
89081 ULM
Auf der Karte ansehen
TQ2 7QL Torquay Devon
Auf der Karte ansehen
81243 Bratislava
Auf der Karte ansehen
89081 Ulm
Auf der Karte ansehen
1040 Wien
Auf der Karte ansehen
BA2 7AY Bath
Auf der Karte ansehen
TQ27FF Torquay
Auf der Karte ansehen
Beteiligung beendet
92190 MEUDON
Auf der Karte ansehen