High Quality European GaN-Wafer on SiC Substrates for Space Applications

Informacje na temat projektu

EUSIC

Identyfikator umowy o grant: 242360

Projekt został zamknięty

Data rozpoczęcia 1 Listopada 2010

Data zakończenia 31 Października 2013

Finansowanie w ramach

• Specific Programme "Cooperation": Space

Koszt całkowity € 3 282 694,02

Wkład UE € 1 989 426,00

Koordynowany przez

SiCrystal AG
Germany