Skip to main content
European Commission logo
polski polski
CORDIS - Wyniki badań wspieranych przez UE
CORDIS
CORDIS Web 30th anniversary CORDIS Web 30th anniversary
Zawartość zarchiwizowana w dniu 2024-06-18

Hierarchical self-assembly of electroactive supramolecular systems on pRe-patterned surfaces: multifunctional architectures for organic FETs

Article Category

Article available in the following languages:

Błyskotliwe wyniki projektu interdyscyplinarnego

Poszukiwanie nowych materiałów przewodzących w nanoskali, otrzymało bodziec za sprawą wysiłków partnerów uczestniczących w finansowanym przez Unię Europejską projekcie Hesperus – zwanego również „Gwiazda wieczorna” (evening star).

Energia icon Energia

Przez wieki marynarze nawigowali po ogromnych, nieznanych obszarach za pomocą gwiazd. W ramach finansowanego przez Unię Europejską projektu Hesperus, "Gwiazda wieczorna" lub inaczej planeta Wenus, naukowcy kontynuowali to wyzwanie, jednak w znacznie mniejszej skali – w nanoskali. Cel: opracowanie nowych sposobów budowania, lub wręcz "hodowania" niezawodnych tranzystorów nowej generacji, które będą mogły przewodzić ładunki elektryczne za pomocą różnych materiałów, od metali po materiały organiczne. Powyższa gałąź nauki, ze względu na swoją naturę, jest interdyscyplinarna – obejmuje badania z zakresu inżynierii elektrycznej (elektrotechniki), chemii (supra)molekularnej, nanoinżynierii, inżynierii materiałowej oraz fizyki. W związku z tym, celem inicjatywy Hesperus, ufundowanej w ramach inicjatywy Marie Curie "Stypendia wewnątrzwspólnotowe dla rozwoju zawodowego" ('Intra-European fellowships for career development'), było uzyskanie nowej wiedzy naukowej oraz technologicznej dotyczącej tego złożonego, interdyscyplinarnego obszaru. W ramach projektu Hesperus w szczególności zajmowano się nanostrukturami supermolekularnymi (supermolecularly engineered nanostructures - SENs). Naukowcy oparli swoje badania na półprzewodnikach organicznych, dostosowując je w celu wyprodukowania nowych rodzajów tranzystorów polowych (FETs), których cechą charakterystyczną jest poprawna praca nawet w przypadku słabych sygnałów elektrycznych. Partnerzy uczestniczący w projekcie zbadali nowe materiały oraz metody służące do budowy od podstaw tranzystorów FET posiadających znacznie lepsze połączenia elektryczne i mogących przenosić większe ładunki elektryczne. Według uczestników projektu kluczowa, opracowana przez nich technologia "pozwala połączyć kryształy półprzewodnikowe z uniknięciem powstawania barier potencjału na łączeniach". Wyniki uzyskane w ramach powyższego projektu, który zakończył się w połowie 2010 r., mogą stanowić część szerszych wysiłków zmierzających do opracowania szybszych, mniejszych i energooszczędnych tranzystorów dla dynamicznie rozwijającego się sektora mikroczipów i elektroniki.

Znajdź inne artykuły w tej samej dziedzinie zastosowania